LED作为目前最主要的照明，其应用范围越来越广，科学家也对LED照明的研究越来越深入。近日，NITS一款通过高质量氮化镓（GaN）纳米线领域的专业技术开发出的全新LED，使其发光强度增加至五倍。

普通的LED照明常采用发光二极管照明，是用一种半固体发光器件，利用固体半导体芯片作为发光材料，通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射。NITS这款全新的，亮度更高的LED照明的光主要来源于注入壳层的电子与空穴的重新结合。新研发的LED在壳层中添加了少量铝，从而减少了电子溢出和光重吸收造成的损失。

根据Nanotechnology杂志发布的研究进展中，我们可以知道这种亮度更高的LED是由纳米线制成，具有所谓的“p-i-n”结构，这是一种可将电子和空穴注入纳米线的三层设计。向壳层添加铝有助于将电子限制在纳米线核心，进而促进电致发光的亮度提升五倍。

LEDinside预估，Micro LED市场规模估将在2025年达28.91亿美元，但目前Micro LED面临技术瓶颈。而这款来自美国国家标准与技术研究所（NIST）的纳米线开发科学家采用特殊类型的外壳使发光强度增加五倍之多，突破了LED照明的瓶颈。研究团队小组长Kris Bertness表示，目前至少有两家公司正在开发基于纳米线的Micro LED，NIST就与其中一家公司签署了合作研发协议。